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GDW3-LT1C高頻光電導少子壽命測試儀/高頻光電壽命測試儀 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω?cm
]資料
產品名稱:
GDW3-LT1C高頻光電導少子壽命測試儀/高頻光電壽命測試儀 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω?cm
產品型號:
GDW3-LT1C
產品展商:
中慧
產品文檔:
*相關文檔
簡單介紹
1、用途
用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形*嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況，是單晶的重要檢測項目。
GDW3-LT1C高頻光電導少子壽命測試儀/高頻光電壽命測試儀 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω?cm
的詳細介紹
高頻光電導少子壽命測試儀/高頻光電壽命測試儀 LT-1C τ:5～6000μs ρ＞0.1Ω?cm
型號：GDW3-LT1C
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貨號：ZH410
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太陽能 硅片壽命 配已知壽命樣片、配示波器
產品簡介
1、用途
用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形*嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況，是單晶的重要檢測項目。
2、 設備組成
2.1、光脈沖發生裝置
重復頻率＞25次/s 脈寬＞60μｓ 光脈沖關斷時間＜1μｓ
紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶） 脈沖電流：5A～20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.2、高頻源
頻率：30MHz 低輸出阻抗 輸出功率＞1W
2.3、放大器和檢波器
頻率響應：2Hz～2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器：頻帶寬度不低于10MHz，Y軸增益及掃描速度均應連續可調。
3、測量范圍
可測硅單晶的電阻率范圍：ρ≥0.1Ω·㎝（歐姆·厘米）
壽命值的測量范圍：5～6000μｓ（微秒）
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